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        銦鎵砷 InGaAs 光電二極管模塊 800-1600nm ( PD/APD/TIA IRPD5521Y 型)  2020-05-27

        筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

        我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

        為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。

        產品型號
        縱向   橫向
        型號 貨號 操作 名稱
        IRPD5521Y-1.25-P-T-PG E80040035
        IRPD5521Y 型 InGaAs 光電二極管模塊( PD/APD/TIA 光譜響應 800-1600nm)   [PDF] 光譜響應范圍 800-1600nm,速度 1.25Gbps,帶TIA,5Pin腳 價格 : ¥2200.00 庫存:1
        現貨
        產品特點

        ● 傳輸速率155Mbps/1.25Gbps/2.5Gbps

        ● 高靈敏度

        ● 工作波長范圍:1260~1650nm

        ● 單電源供電

        ● 遵循Telcordia Technoligies GR-468-CORE標準

        ● RoHS認證RoHS compliant

        技術參數

        參數名稱

        符號

        測試條件

        最小

        典型Typ.

        最大

        單位

        TIA工作電流

        ICC

        Vcc=3.3V

        -

        44

        59

        mA

        反向擊穿電壓1)

        VBR

        ID=100μA

        35

        -

        55

        V

        VBR溫度系數

        σ

        γ= dVBR/dTC

        -

        0.1

        0.15

        V/℃

        差分跨阻

        IRPD5521Y-155

        IRPD5521Y-1.25

        IRPD5521Y-2.5

         

         

        ZT

         

        Pin=-30dBm, RL=100Ω,

         

        54

        26

        3.6

        -3dB帶寬

        IRPD5521Y-155

        IRPD5521Y-1.25

        IRPD5521Y-2.5

         

         

        f-3dB

         

         

        Pin=-30dBm

        100

        1000

        2000

        MHz

        響應度

        Re

        M=1 , λ = 1.55μm

        0.85

        0.95

        -

        A/W

        輸出阻抗

        ZO

        Single ended

        -

        50

        70

        Ω

        靈敏度

        IRPD5521Y-155A

        IRPD5521Y-155P

        IRPD5521Y-1.25A

        IRPD5521Y-1.25P

        IRPD5521Y-2.5A

        IRPD5521Y-2.5P

        PS

         

        λ=1.55μm,NRZ, PRBS=223–1, BER=10-10,

        ER=10dB,

        V=Vop

        -47 -39 -35 -28 -34 -26

        dBm

        過載功率

        APD

        PIN

         

        PMAX

         

        -5

        +3

        -

        -

        dBm

        光回損

        Lo

        λ = 1.55μm

        -

        -

        -30

        dB

        備注:1)僅適用于APD探測器


        最大絕對額定值 T=25deg

        參數名稱

        符號

        額定值

        單位

        TIA電源電壓

        VCC

        5

        V

        APD反向電壓APD

        VAPD

        VBR

        V

        APD/PD反向電流

        Ir

        2

        mA

        APD/PD正向電流

        If

        2

        mA

        工作溫度范圍

        TC

        -40 ~ +85

        貯存溫度范圍

        TSTG

        -55 ~ +100

        通用參數

        fz.png

        引腳定義

        yj.png

        引腳編號

        引腳功能說明

        引出端符號

        1

        信號正輸出端

        Vout+

        2

        放大器電源

        VCC

        3

        偏置電壓

        VAPD

        4

        信號負輸出端

        Vout-

        5

        接地

        GND (case)


        yj1.png


        引腳編號

        引腳功能說明

        引出端符號

        1

        信號正輸出端

        Vout+

        2

        信號負輸出端

        Vout

        3

        接地

        -GND   (case)

        4

        放大器電源

        VCC


        注意事項

        a.嚴格按照引腳說明連接,輸出AC耦合時,差分負載應為100Ω

        b. 貯運、使用過程中必須采取適當的靜電防護措施。

        c.器件屬于高電壓工作器件,使用時應采取適當的設計和措施避免人體受到傷害。

        產品應用

        ● 無源光網絡與SDH/SONET傳輸系統

        ● 吉比特以太網與光纖信道

        ● 其它應用Other application

        訂購信息

        型號: IRPD5521Y-□□□□-☆-T-XX 

        速率□□□□:

        0155:155Mbps

        1.25:1.25Gbps

        2.5:2.5Gbps

        探測器類型☆:

        A: APD

        P: PD

        T: TIA

        封裝XX:

        PG:尾纖

        TO:TO封裝










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