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        銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面光電二極管(10mm ) 900-1700nm 近紅外波長  2021-09-01

        筱曉光子庫存備有各種有效面積和封裝的PIN結二極管(PD),包括銦鎵砷(InGaAs)、磷化鎵(GaP)、硅(Si)和鍺(Ge)光電二極管。

        我們有高速硅光電二極管。也有在900到2600 nm的范圍內具有高響應率,其探測波長超過典型銦鎵砷光電二極管的1800 nm。雙波段光電二極管,它集成了上下緊貼在一起的兩個光電探測器(硅基底在上,銦鎵砷基底在下),組合波長范圍從400到1700 nm。

        為了豐富我們的光電二極管產品線,我們提供已安裝的光電二極管便于客戶供電即用,探測器有效面積邊緣的不均勻性可能引起不必要的電容電阻效應,從而扭曲光電二極管的時域響應。因此,我們建議使光入射在有效面積中心。為此,可以在探測器前放置聚焦透鏡或者針孔。


        產品型號
        縱向   橫向
        型號 貨號 操作 名稱
        IRD-IGS-10 E80042060
        銦鎵砷 InGaAs 超大光敏面PIN光電二極管(900-1800nm,直徑10mm)   [PDF] 光譜響應范圍 900-1700nm;光敏面直徑 10mm;響應度@1550nm 0.95 A/W; 光敏材料 InGaAs;5 Pin腳 價格 : ¥28600.00 庫存:0
        現貨
        產品特點

        ● 10mm超大光敏面

        ● 900nm to 1700nm 光譜響應

        ● 高線性 > 10 dBm

        ● —正照平面型芯片結構 

        ● 光敏面積大、低暗電流


        通用參數

        技術參數

        特性參數

        符號

        測試條件

        最小

        典型

        最大

        單位

        光譜響應范圍

        λ

        900~1700

        nm

        光敏面直徑

        φ

        10

        mm

        響應度

         

        Re

        VR=5V,λ=1.31μm,φe=100μw

        0.85

        A/W

        VR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw

        0.95

        響應時間

        tS

        VR=5V,RL=50Ω,f=2KHz

        8

        20

        μs

        總電容

        C

        VR=5V,f=1KHz

        3

        10

        nF

        暗電流

        ID

        VR=5V,φe=0

        25

        100

        nA

        分流阻抗

        Rsh

        VR=10mV

        10


        光譜響應曲線

        tu1.png

        封裝及尺寸

        tu2.png

        極限值

        參數名稱

        符號

        額定值

        單位

        工作溫度

        TC

        -40~+85

        貯存溫度

        TSTG

        -55~+125

        正向電流

        IF

        10

        mA

        反向電流

        IR

        5

        mA

        焊接溫度(時間)

        St

        260℃(10s)

        -


        產品應用

        ● 激光功率計

        ● LED/LD老化診斷

        ● 光譜學

        ● LED/LD特性

        ● 眼睛安全激光檢測傳感器










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